计算机行业研究：电RAM与DRAM对比分析

行业观点 电容是算力系统的"电RAM"，这一比喻正在从叙事走向工程现实。我们在电容系列第一篇（5月16日）即提出"电容是新的电RAM"——HBM是数据的缓冲、电容是能量的缓冲。电RAM与DRAM的相似之处主要有以下几点：存储系统的"DRAM刷新—缓存层级—容量墙"，分别对应电容在AI供电系统中的"充放电响应—多级时间常数—容量配置"。二者在系统角色、层级结构、量价驱动上高度同构，并非只是修辞上的相似。算力越强，对"电能缓冲"的依赖越深，正如算力越强对"数据缓冲"的依赖越深——这是电容需求脱离"按GPU颗数线性外推"的根本原因。 电容体系是一张"按时间常数分层"的缓冲网络，每一类电容对应一个供电时间尺度。沿着从芯片到电网的方向，硅电容在封装内承担亚纳秒级瞬态去耦，MLCC在板级承担纳秒级高频去耦，MLPC（多层聚合物电容）在板级承担微秒级中高频滤波与储能、并在高容值区间替代多颗MLCC，牛角铝电解电容在电源模块承担微秒至毫秒级的稳压削峰，超级电容与锂离子电容在机柜侧承担毫秒至秒级的备电与功率缓冲，薄膜电容则在高压直流母线承担纹波吸收。这套"时间常数阶梯"与DRAM/SRAM/寄存器的"访问延迟阶梯"在结构上高度对应：越靠近运算核心，响应越快、单位价值越高、技术壁垒越陡。这意味着AI供电升级不是某一类电容的单点放量，而是整张缓冲网络的同步加密。 市场对电容需求的认知，仍停留在"白区"，而真正的增量大量发生在"灰区"。过去多数测算只覆盖电源模块（PSU）内部、即靠近服务器与机柜的"白区"用量；但随着机柜功率向兆瓦级演进、供电架构走向800V高压直流（HVDC）与固态变压器（SST），从电网接入到机柜之间的多级降压、配电、电容箱、Power Rack等"灰区"环节，同样需要大量电容承担稳压与缓冲。换言之，电容用量的扩张是系统级的，既在白区加密、也在灰区铺开。若仅按白区口径测算，对真实需求存在系统性低估——这正是我们持续强调"数量随功率增长、结构随电压架构迁移"的原因。 量随功率增长，价随结构升级，电容正进入"量价齐升"的兑现期。需求侧，GPU出货保持高增长，单GPU功率与供电复杂度抬升带动单卡电容价值量提升，叠加冗余与结构系数，需求弹性显著高于GPU颗数增速；供给侧，高端铝箔、活性炭等关键材料受限，海外厂商扩产文化偏保守，国产高自供率、强工程能力的厂商获得份额与定价窗口。价格侧，传统铝电解电容下半年进入涨价通道，日系大厂已相继发函调涨，AI高端新品则按"重定价"逻辑兑现更陡的价值量提升。 相关标的 1）电容：江海股份、东阳光、火炬电子、海星股份、祥和实业、万裕科技、元力股份、思源电气、艾华集团等。 2）MLCC：三环集团、风华高科、洁美科技、博纤新材、国瓷材料、火炬电子、力源信息、雅创电子、商络电子、利和兴、信维通信等。 3）SST：四方股份、金盘科技、阳光电源、可立克、京泉华等。 4）SST需要用到的SiC：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电等。 风险提示 上游高端材料保供风险；客户验证与导入不及预期风险；产能指标与审批风险；价格回落风险；海外厂商扩产与同业竞争风险；需求测算偏乐观风险。