电子行业研究周报：华为发布韬定律，存储景气延续

投资摘要： 每周一谈：华为发布韬定律存储景气延续 华为发布韬定律，将时间常数τ作为半导体性能优化的主要度量标准。根据芯智讯援引华为技术论文，华为提出摩尔定律的几何缩放带来的回报已趋于平缓，可以在堆栈的每一层（晶体管、电路、芯片、系统）定义一个特征时间常数τ，并将其缩减作为统一的优化目标和半导体演进的指导原则。τ=f(τ晶体管，τ电路，τ芯片，τ系统)，在每一层都有不同的机制可用于缩减τ：在晶体管层面通过迁移率增强、应变工程、高k金属栅极、GAA架构以及局部互连寄生R和C的减小来应对本征开关延迟，在电路层通过更低电阻率的导体、低k电介质，以及通过垂直集成缩短线长来应对信号路径上的RC传播延迟，在芯片层通过架构选择、流水线深度、内存层次结构和片上互连架构来应对计算和内存访问延迟，在系统层通过互连拓扑、协议栈和互连架构设计来应对端到端的消息传递和同步时间。LogicFolding将数字、模拟和存储电路分区到垂直堆叠的有源层中，关键路径上的门被分布到两个及更多垂直堆叠的有源层中，通过混合键合连接，逻辑折叠设计区别于传统2D、chiplet和3D堆叠。在麒麟2026上晶体管密度单代步进式地从155MT/mm²提高到238MT/mm²。区别于单个芯片的智能手机领域，AI系统集成多达几百颗芯片，其芯片τ缩放系统互连架构（统一总线）、近封装光学引擎（Hi-ONE）以及封装本身的拓扑重组（3D Folding）三个协同层实现。 根据华尔街见闻，华为表示到2031年基于这一路线设计的高端芯片，晶体管密度将达到1.4纳米工艺的同等水平，公司后续在先进封装、混合键合、3D设计工具、存储与逻辑协同、系统互连等验证和扩张成为定律落地效果的关键信号。我们认为，华为韬定律在摩尔定律几何缩放回报趋缓情况下，将现有先进封装和混合键合、光互联等工艺与架构、材料等创新结合，为半导体性能提升提供了新的路线。华为的创新和实践或将利好国产晶圆代工厂、先进封装测试、键合等半导体设备、EDA和光通信等环节。 存储景气延续，Q2一般性DRAM合约价预计环比增长58-63%，Q1全球前五大NAND Flash营收环比增长83.7%。根据TrendForce，2026Q1一般型DRAM合约价加速上涨、季度环比增长93-98%，带动行业营收环比增长81%至970亿美元。2026Q2预计整体Conventional DRAM出货位元增幅有限，价格表现预计乐观、Conventional DRAM合约价季度环比有望增长58-63%。 2026Q1E-SSD需求呈几何倍数成长，此外，传统HDD持续出现结构性缺货，促使订单转向QLC E-SSD。NAND Flash原厂平均销售单价（ASP）普遍优于预期，带动Q1五大品牌商合计营收季度环比增长83.7%、突破389亿美元。Q2原厂普遍预期NAND Flash出货量将继续增长，议价机制也将持续支撑ASP表现。 投资策略：我们认为，国内存储厂商有望在先进存储产能扩充、国产替代机遇下持续受益。建议关注佰维存储、德明利、江波龙等存储模组公司，建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。 风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧