电子行业研究周报：英伟达业绩指引超预期，美光认为内存墙加剧

投资摘要： 英伟达财年三季度业绩指引超预期，采购承诺单季度增加约1600亿美元，AI服务器价格或调涨。根据闪存市场和华尔街见闻，英伟达发布截至7月26日的2027财年Q2报告，季度营收同比/环比增长106%/18%，Non-GAAP下毛利率75.0%，环比持平。营收占比92.5%的数据中心业务同比/环比增长117%/18%，增长好于边缘计算部门。财年Q3营收指引环比增长10%-14.5%，中值1080亿美元高于市场预期。公司预计财年Q3毛利率约74%，将在财年Q4触底至71-72%，源于内存价格涨幅超预期且持续攀升，预计价格调整措施将于2028财年Q1生效带动毛利率回稳至72%至73%。公司未来供应采购协议单季增加约1600亿美元至2790亿美元，增加部分主要来自存储长协。媒体报道称内存成本飙升，公司或上调其服务器价格约15%，具体涨幅将取决于芯片和内存配置。VeraRubin全面投产并开始发货，公司预计其将在财年Q3贡献约20%的数据中心营收，有望成为爬坡放量最快的一代产品。 公司认为推理需求正成为新的增长主线，AI从训练模型进入让模型大量工作的阶段，公司交互式AI推理加速系统Groq3LPX将在本季度批量出货，AI云端服务商Nebius已首家导入。推理规模化将带动产业链需求延伸至CPU、高速网络、存储、数据中心、电力等环节。 公司指引2028财年营收预计将增长约70%，明显高于市场此前约45%的预期。英伟达业绩指引季度环比增长超过双位数，显示AI算力需求并未出现市场担心的边际放缓，未来1-2个季度行业景气度或仍处于上行通道。 美光认为内存墙或在进一加剧，HBM龙头企业发布路线图。根据芯智讯，HotChips2026半导体大会上，美光针对内存墙进行量化，计算能力大约每两年增长3倍，而内存能力每两年仅增长不到2倍，两者增速的差距意味着内存墙不仅持续存在，且或进一步加剧。 目前HBM是通过硅通孔（TSV）将多层DRAM Die垂直堆叠，并与Base Die整合，再通过硅中介层（Silicon Interposer）与GPU或其他AI加速器连接，形成典型的2.5D封装构架。美光认为，随着每颗DRAM的储存密度增加，每位元的功耗效率（pJ/bit）随之下降。HBM多层数堆叠带来热能与机械结构挑战，最大痛点在于功率密度而非功耗。 随着HBM面临带宽、功耗与封装尺寸等多重瓶颈，三星等正积极寻求下一代HBM架构的突破。三星、SK海力士向3D堆叠架构发展，三星正开发全新方案zHBM，通过将HBM垂直堆叠于xPU上方，节省硅面积同时省去传统2.5D封装所需的中介层。三星宣称zHBM可带来70%的能源效率提升，DRAM带宽增加230%，每个DRAM模块最多可节省100W功耗，并让xPU（以GPU为例）额外获得8.3%的功耗空间。 SK海力士已将先进MR-MUF技术应用于16层HBM3E，并进一步导入翘曲控制、细间距互连与窄间隙填充等技术，同时转向混合键合技术解决功耗与散热负担问题。相较MR-MUF，混合键合可实现厚度增加24%的核心晶粒（Core Die），TSV间距可缩小至18μm以下，同时在堆叠层数增加的情况下，热阻可降低约35%。 投资策略：英伟达业绩和指引超出市场预期，业绩指引季度环比增长超过双位数，显示AI算力需求并未出现市场担心的边际放缓，未来1-2个季度行业景气度或仍处于上行通道。建议关注后续Rubin机柜产品出货情况及对其PCB、光互联等产业链的带动。美光量化数据显示，内存墙或进一步加剧。建议关注 HBM新技术对存储需求的持续带动，关注存储扩产对混合键合、量测检测等设 备和材料的出货以及封测订单的持续带动。 风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧 1.市场回顾 上周（8.24-8.28）申万电子行业指数上涨0.15%，在申万31个行业中排名第26，跑赢沪深300指数0.36%。本月至今（8.1-8.28）申万电子行业指数上涨10.24%，在申万31个行业中排名第3，跑赢沪深300指数9.78%。年初至今（1.1-8.28）申万电子行业指数上涨34.07%，在申万31个行业中排名第1，跑赢沪深300指数34.52%。